一条是国内一家芯片企业公布的SAQP技术，可以利用现有的DUV光刻机开发7纳米工艺，并且已以该技术研发成功10纳米工艺，证明了以这种技术实现7纳米的可行性。

      SAQP技术其实就是多重曝光技术，以现有的DUV光刻机通过多重曝光最终量产7纳米，这个技术其实早已由台积电验证过。台积电当时为了确保7纳米工艺的量产，因此延续了此前的芯片制造技术，采用DUV光刻机量产了第一代7纳米工艺，在第一代7纳米工艺量产后再引入EUV光刻机，开发出第二代7纳米EUV工艺。

      这种技术对于中国的先进制造工艺来说无疑是最现实的办法，随着国内芯片制造企业将SAQP技术应用于10纳米，中国可望加速7纳米工艺的量产，当然这种技术也存着一些弊端，那就是可能导致7纳米工艺的成本过高，不过能解决7纳米工艺对中国芯片更具意义。

      另一个途径则是解决中国芯片制造的瓶颈问题，量产国产化的光刻机，这个是最根本的办法，这方面中国也已取得重要进展，近期哈尔滨工业大学公布了一项“高速超精密激光干涉仪”研发成果，并获得了首届“金燧奖”中国光电仪器品牌榜金奖，这就打破了中国在先进光刻机方面的瓶颈。

      中国在先进工艺方面的瓶颈就是光刻机，中国已解决了芯片制造的七大环节，刻蚀机和光刻胶都一达到5纳米，芯片封装更是达到4纳米，其他环节也已突破到14纳米，而光刻机一直都在努力打破28纳米。

      光刻机的难度如此之大，在于它本身就是一条很长的产业链，据了解ASML的EUV光刻机零件高达10万个，需要全球5000家企业配合才能生产出来，证明了先进光刻机的技术难度多么大，正是由于光刻机的难度太大，中国在研发光刻机方面一直面临困难。

      不过中国其实在光刻机方面也有不小的积累，中国是全球唯一一个在光刻机方面拥有更完整产业链的经济体，这在于中国受到众所周知因素的影响而难以获得光刻机的配件供应，无奈之下只能自己重新打造一条光刻机产业链，在中国的努力下，中国已逐步解决了双工作台、激光光源、物镜系统等，哈尔滨工业大学公布的技术可以实现将这些配件进行高精度整合，完成光科技的最后步骤，可以预期国产先进光刻机很快就能量产。

      中国在芯片制造方面的进展，在于中国长久以下打下的制造业基础，正是这种基础，让中国得以率先在更先进的光子芯片、量子芯片等方面取得突破，筹建了全球第一条光子芯片、量子芯片生产线，在更先进的芯片技术方面都能突破，那么在硅基芯片技术上逐步取得进展应该是无需质疑的。